번호
제목
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[미국 캘리포니아 공대(Caltech) 화학공학과, UCLA의 화학 및 바이오화학과, 카네기멜론대 전기컴퓨터 공학과 공동연구팀, '기억용량 100배'의 100기가(10의 11승) DRAM 칩 개발, 기존의 반도체 산업 방식이 아닌 유기물질의 화학을 이용해 0과 1을 스위치가 가능한(switchable) 유기 분자(organic molecules)에 저장하는 분자 메모리(Molecular memory) 현실화, 분자 메모리는 백혈구(a white blood cell) 보다 크지 않지만 무려 16만개의 메모리 소자(memory elements)를 포함하고 있고, 각각 소자들의 크기는 30나노 평방미터에 불과해, 기존의 메모리 디바이스보다 40배나 작지만, 분자 메모리 셀은 평방센티미터당(cm x cm) 무려 10의 11승인 100기가 비트를 저장할 수 있어, 내부 회로용 선들의 굵기는 15나노 미터로 기존의 D램 칩에 비해 정보 저장 공간은 37분의 1로 선의 굵기는 3분의 1 이하로 줄여 2020년이나 되어야 가능한 1조 비트를 저장할 수 있는 메모리에 도전, 특히 캘리포니아공대의 박사과정 학생인 최장욱 씨 및 신영식 씨 등 한국과학도들이 James R. Heath 지도교수와 같이 연구주도, 네이처(Nature)지 2007년 1월 25일(V445, N7126)자의 뉴스 특별(News Features)란 362페이지에 "고집적 메모리 : 시간을 13년 이상 앞당겨(High-density memory: A switch in time)"라는 소개와 더불어 339-458페이지에 걸쳐 "16만개의 분자 메모리 소자로 평방센티미터당 100기가 비트를 저장(A 160-kilobit molecular electronic memory patterned at 10의 11승(100기가) bits per square centimetre)"라는 논문으로 발표, 이제 하향식과 상향식은 반드시 조우해야(07/Feb/2007)]
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[전선없는 초고속 컴퓨터시대 온다, 인텔(Intel) 및 산타바바라 캘리포니아大 레이저빔 사용 레이저 실리콘 칩(laser-silicon chip), 빛을 발하는 인듐(In, indium) 인화물(phosphide)과 기존 실리콘의 융합인 하이브리드 칩(hybrid chip), 하이브리드 실리콘 레이저(Hybrid Silicon Laser) 개발, “와이어(전선)는 가라. 이젠 빛으로 데이터를 쏜다” 시대 열어, 2010년에 상용화 예정, 컴퓨터 디자인의 혁명 기대, 더욱 저렴하고 100배 파우어플한 국가전산망 구축 기대, 광 통신 및 광 컴퓨팅의 경쟁 가속화, 인듐이나 에르븀이냐? 광학 디바이스(photonic devices), 광전자(optoelectronics)에 도전(A Chip That Can Transfer Data Using Laser Light, Hybrid Silicon Laser(17/Oct/2006)]
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[삼성전자, 기존 반도체 기술의 플로팅 게이트 (Floating Gate) 한계를 극복한 신개념 CTF(Charge Trap Flash) 낸드 기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공, CTF 기술은 '전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장한다'는 발상의 전환으로 셀 간 간섭 문제를 완벽히 해결한 혁신적인 기술로 부도체인 신구조와 신물질(타노스, TaN/AlO/Nitride/Oxide/Si) 이용, 2005년의 50나노 16기가비트(Gb)에 이은 40나노(1억분의 4m) 32기가비트(Gb, 4GB, 328억 개의 메모리 기본 소자 집적) 낸드플래시 상용화, 세계 최대용량 신물질 메모리 512메가 상변화 P램(Phase Change RAM), 세계 최초 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip) 개발, 기가(Giga) 시대를 넘어 2010년 이후 테라(Tera) 및 페타(Peta) 시대를 겨냥한 '초 고용량 반도체' 전략 추진 2006년 9월 11일 발표, 7년 연속 황창규 법칙의 리드, 생명공학과의 융합, '플래시토피아(Flashtopia)'로의 진입, 512메가 P램->2008부터 노어(NOR)형 대체, 고객 친화적 IT+NT+BT 융합 솔루션 전략(09/Oct/2006)]
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[영국의 사우스샘턴공대+이탈리아 ST Microelectronics = 110GHz 속도의 트랜지스터 개발, 실제 속도 11GHz 대의 수백억 개의 트랜지스터가 내장된 서킷회로베이스의 디바이스 조만간 상용화, 기존의 실리콘 반도체에 불소(Fluorine, F)를 이온 주입법(Ion Implantation)으로 주입하면 실리콘 원자들이 추방(제거)된 진공 클러스터가 생겨, 고온 전기로에 의한 붕소(Boron) 주입 확산 공정이 필요 없이, 양쪽의 실리콘 층 사이에 아주 가느다란 얇은 3번째 붕소 층이 만들어져 트랜지스터의 속도를 향상시켜, 핸드폰, 디지털 카메라, 스캐너에 적용 기대(Speedy silicon sets world record. A simple tweak to the way common silicon transistors are made could allow faster, cheaper mobile phones and digital cameras, say UK researchers(05/Sep/2006)]
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